APT45GP120B2DQ2G - IGBT 1200V 113A 625W TMAX
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IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APT45GP120B2DQ2G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APT45GP120B2DQ2G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Séries : POWER MOS 7®
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 113A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 170A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A
Puissance - Max : 625W
Énergie de commutation : 900µJ (on), 905µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 185nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 18ns/100ns
Condition de test : 600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APT45GP120B2DQ2G
Feuilles de données : APT45GP120B2DQ2G.pdf
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