DMT10H072LFDF-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020

Référence fabricant

DMT10H072LFDF-13

Numéro de pièce interne

AX-DMT10H072LFDF-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMT10H072LFDF-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMT10H072LFDF-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 266pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 800mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6

Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMT10 , DMT10H07

Documents pour DMT10H072LFDF-13

Feuilles de données : DMT10H072LFDF-13.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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