DMT5015LFDF-13 - MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

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MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
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Spécifications pour DMT5015LFDF-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMT5015LFDF-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 902.7pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 820mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFN2020 (2x2)
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMT5 , DMT5015

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Feuilles de données : DMT5015LFDF-13.pdf

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