EDB5432BEBH-1DAAT-F-D - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire : 512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge : 533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 134-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 134-VFBGA (10x11.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : EDB5432 , EDB5432BEB
Documents pour EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Feuilles de données : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
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