NP33N06YDG-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
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MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NP33N06YDG-E1-AY
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NP33N06YDG-E1-AY
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta), 97W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-HSON
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NP33N06YDG-E1-AY
Feuilles de données : NP33N06YDG-E1-AY.pdf
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