FDU068AN03L - MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDU068AN03L
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
69335 Pieces
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Spécifications pour FDU068AN03L
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDU068AN03L
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
17A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2525pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
80W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I-PAK
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDU068AN03L
Feuilles de données :
FDU068AN03L.pdf
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