TK22E10N1,S1X - MOSFET N CH 100V 52A TO220
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MOSFET N CH 100V 52A TO220
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK22E10N1,S1X
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK22E10N1,S1X
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 100V 52A TO220
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 52A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 72W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TK22E10N1,S1X
Feuilles de données : TK22E10N1,S1X.pdf
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