C3M0075120J-TR - 1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON
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1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour C3M0075120J-TR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
C3M0075120J-TR
Fabricant :
Cree/Wolfspeed
La description :
1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON
Séries :
C3M™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 15V
Vgs (Max) :
+15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 1000V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
113.6W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263-7
Paquet / caisse :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour C3M0075120J-TR
Feuilles de données :
C3M0075120J-TR.pdf
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