TK55S10N1,LQ - MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

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Brève description
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK55S10N1,LQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK55S10N1,LQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 55A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3280pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 157W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK+
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK55 , TK55S1

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Feuilles de données : TK55S10N1,LQ.pdf

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