SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

Référence fabricant

SIZF916DT-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SIZF916DT-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH DUAL 30V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

603435 Pieces

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Spécifications pour SIZF916DT-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIZF916DT-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH DUAL 30V

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Puissance - Max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair® (6x5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIZF9 , SIZF916D

Documents pour SIZF916DT-T1-GE3

Feuilles de données : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
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