SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

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MOSFET N-CH DUAL 30V
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Spécifications pour SIZF916DT-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIZF916DT-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH DUAL 30V
Séries : TrenchFET® Gen IV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Puissance - Max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair® (6x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIZF9 , SIZF916D

Documents pour SIZF916DT-T1-GE3

Feuilles de données : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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