ES1AL M2G - DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ES1AL M2G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ES1AL M2G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 950mV @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 50V
Capacité @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur : Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : ES1AL M2G.pdf

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