IRFHM830TRPBF - MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

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MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
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Spécifications pour IRFHM830TRPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFHM830TRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2155pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PQFN (3x3)
Paquet / caisse : 8-VQFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRFH , IRFHM8

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Feuilles de données : IRFHM830TRPBF.pdf

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