W947D2HBJX5E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour W947D2HBJX5E TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : W947D2HBJX5E TR
Fabricant : Winbond Electronics
La description : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire : 128Mb (4M x 32)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 90-VFBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour W947D2HBJX5E TR
Feuilles de données : W947D2HBJX5E TR.pdf
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