IXTP1R6N50D2 - MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

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MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
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Spécifications pour IXTP1R6N50D2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTP1R6N50D2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23.7nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXTP , IXTP1R

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Feuilles de données : IXTP1R6N50D2.pdf

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