FCMT099N65S3 - MOSFET N-CH 650V 30A POWER88

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MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
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Spécifications pour FCMT099N65S3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FCMT099N65S3
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Séries : SuperFET® III
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2270pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 227W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Power88
Paquet / caisse : 4-PowerTSFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FCMT , FCMT09

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Feuilles de données : FCMT099N65S3.pdf

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