IPA60R1K5CEXKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO220-3

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MOSFET N-CH 600V TO220-3
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Spécifications pour IPA60R1K5CEXKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPA60R1K5CEXKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 600V TO220-3
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 100V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 20W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220 Full Pack
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPA60 , IPA60R1K

Documents pour IPA60R1K5CEXKSA1

Feuilles de données : IPA60R1K5CEXKSA1.pdf

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