BSM120D12P2C005 - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

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MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
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Spécifications pour BSM120D12P2C005

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSM120D12P2C005
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 22mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 10V
Puissance - Max : 780W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : -
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSM12 , BSM120D

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Feuilles de données : BSM120D12P2C005.pdf

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