RT1C060UNTR - MOSFET N-CH 20V 6A TSST8

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MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
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Spécifications pour RT1C060UNTR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RT1C060UNTR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 650mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSST
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RT1 , RT1C0

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Feuilles de données : RT1C060UNTR.pdf

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