DMN6013LFG-7 - MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMN6013LFG-7
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN6013LFG-7
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN6013LFG-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2577pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMN6013LFG-7
Feuilles de données : DMN6013LFG-7.pdf
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