AOWF10N65 - MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AOWF10N65
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
620245 Pieces
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Spécifications pour AOWF10N65
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AOWF10N65
Fabricant :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description :
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1645pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
25W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
-
Paquet / caisse :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AOWF10N65
Feuilles de données :
AOWF10N65.pdf
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