AONR21307 - MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AONR21307
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AONR21307
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AONR21307
Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description : MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1995pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN-EP (3x3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AONR21307
Feuilles de données : AONR21307.pdf
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