IDB30E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
348025 Pieces
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Spécifications pour IDB30E120ATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IDB30E120ATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
50A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
2.15V @ 30A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
243ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO263-3
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IDB30E120ATMA1
Feuilles de données :
IDB30E120ATMA1.pdf
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