SI5504BDC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
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Spécifications pour SI5504BDC-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI5504BDC-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Puissance - Max : 3.12W, 3.1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI550 , SI5504BD

Documents pour SI5504BDC-T1-GE3

Feuilles de données : SI5504BDC-T1-GE3.pdf

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