LND150N3-G-P014 - MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Référence fabricant

LND150N3-G-P014

Numéro de pièce interne

AX-LND150N3-G-P014

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour LND150N3-G-P014

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : LND150N3-G-P014

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 500V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30mA (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10pF @ 25V

Caractéristique FET : Depletion Mode

Dissipation de puissance (max) : 740mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3

Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : LND15 , LND150N

Documents pour LND150N3-G-P014

Feuilles de données : LND150N3-G-P014.pdf

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CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
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