IXTT1N450HV - MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

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MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXTT1N450HV

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTT1N450HV
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 4500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1730pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 520W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-268
Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTT1

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