NSVBAS19LT1G - DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NSVBAS19LT1G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
13945930 Pieces
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Spécifications pour NSVBAS19LT1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NSVBAS19LT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 120V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 200mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 100V
Capacité @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NSVBAS19LT1G
Feuilles de données : NSVBAS19LT1G.pdf
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