GP1M006A065PH - MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GP1M006A065PH
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
GP1M006A065PH
Fabricant :
Global Power Technologies Group
La description :
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1177pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
120W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I-PAK
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour GP1M006A065PH
Feuilles de données :
GP1M006A065PH.pdf
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