BSS670S2LH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

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MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
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Spécifications pour BSS670S2LH6327XTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSS670S2LH6327XTSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 540mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2.7µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.26nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSS670 , BSS670S2L

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