IDP30E65D1XKSA1 - DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
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Brève description
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IDP30E65D1XKSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IDP30E65D1XKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 60A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 30A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 64ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 40µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-220-2
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IDP30E65D1XKSA1
Feuilles de données : IDP30E65D1XKSA1.pdf
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