NVTFS6H888NTAG - T8 80V U8FL

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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
T8 80V U8FL
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVTFS6H888NTAG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVTFS6H888NTAG
Fabricant : ON Semiconductor
La description : T8 80V U8FL
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 15µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NVTF , NVTFS6H

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Feuilles de données : NVTFS6H888NTAG.pdf

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