RQ6E055BNTCR - MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

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MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
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Spécifications pour RQ6E055BNTCR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RQ6E055BNTCR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 355pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TSMT6 (SC-95)
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RQ6E , RQ6E05

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Feuilles de données : RQ6E055BNTCR.pdf

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