SI4931DY-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
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MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
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Spécifications pour SI4931DY-T1-E3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI4931DY-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 350µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1.1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI4931DY-T1-E3
Feuilles de données : SI4931DY-T1-E3.pdf
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