IPSA70R2K0P7SAKMA1 - MOSFET TO251-3
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Brève description
MOSFET TO251-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPSA70R2K0P7SAKMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPSA70R2K0P7SAKMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET TO251-3
Séries : CoolMOS™ P7
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 30µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 400V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 17.6W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3-347
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPSA70R2K0P7SAKMA1
Feuilles de données : IPSA70R2K0P7SAKMA1.pdf
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