2SK1119(F) - MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2SK1119(F)
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
7968 Pieces
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Spécifications pour 2SK1119(F)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
2SK1119(F)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
100W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220AB
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 2SK1119(F)
Feuilles de données :
2SK1119(F).pdf
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