RSJ10HN06TL - MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

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MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RSJ10HN06TL

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RSJ10HN06TL
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 202nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LPTS
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RSJ , RSJ10

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