TPN2010FNH,L1Q - MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

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MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TPN2010FNH,L1Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPN2010FNH,L1Q
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPN2 , TPN2010

Documents pour TPN2010FNH,L1Q

Feuilles de données : TPN2010FNH,L1Q.pdf

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