SI1965DH-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI1965DH-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI1965DH-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 6V
Puissance - Max : 1.25W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6 (SOT-363)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI1965DH-T1-GE3
Feuilles de données : SI1965DH-T1-GE3.pdf
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