MT47H256M8EB-25E XIT:C - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
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Fabricant
Brève description
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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23520 Pieces
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Spécifications pour MT47H256M8EB-25E XIT:C
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT47H256M8EB-25E XIT:C
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR2
Taille mémoire :
2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge :
400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
400ps
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
60-FBGA (9x11.5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT47H25 , MT47H256M8E
Documents pour MT47H256M8EB-25E XIT:C
Feuilles de données :
MT47H256M8EB-25E XIT:C.pdf
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CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 160PF 9KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. |
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Murata Electronics North America |
CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. |
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