IPB033N10N5LFATMA1 - MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Référence fabricant

IPB033N10N5LFATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPB033N10N5LFATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPB033N10N5LFATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPB033N10N5LFATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Séries : OptiMOS™-5

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.1V @ 150µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 179W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPB033 , IPB033N10

Documents pour IPB033N10N5LFATMA1

Feuilles de données : IPB033N10N5LFATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
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