SI2333DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

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MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
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Spécifications pour SI2333DS-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI2333DS-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 750mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI23 , SI2333D

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Feuilles de données : SI2333DS-T1-E3.pdf

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