SPB10N10 G - MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Référence fabricant

SPB10N10 G

Numéro de pièce interne

AX-SPB10N10 G

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

9094 Pieces

Prix de référence

~~USD 0~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a SPB10N10 G en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour SPB10N10 G. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour SPB10N10 G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SPB10N10 G

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.3A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 21µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 426pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SPB , SPB10

Documents pour SPB10N10 G

Feuilles de données : SPB10N10 G.pdf

Produits associés pour SPB10N10 G Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 18KV SCREW.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 20KV SCREW.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.