APTGTQ100A65T1G - POWER MODULE - IGBT
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MODULE - IGBT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTGTQ100A65T1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTGTQ100A65T1G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : POWER MODULE - IGBT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : -
Configuration : Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100A
Puissance - Max : 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : SP1
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTGTQ100A65T1G
Feuilles de données : APTGTQ100A65T1G.pdf
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