AS4C8M16S-6BINTR - IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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Brève description
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C8M16S-6BINTR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C8M16S-6BINTR
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM
Taille mémoire : 128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 2ns
Temps d'accès : 5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 54-TFBGA (8x8)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C8M16S-6BINTR
Feuilles de données : AS4C8M16S-6BINTR.pdf
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