TPH3206LDB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPH3206LDB
Fabricant
Brève description
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
52440 Pieces
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Spécifications pour TPH3206LDB
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TPH3206LDB
Fabricant :
Transphorm
La description :
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 480V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
81W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PQFN (8x8)
Paquet / caisse :
4-PowerDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TPH3206LDB
Feuilles de données :
TPH3206LDB.pdf
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