IX2120BTR - 1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IX2120BTR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IX2120BTR
Fabricant : IXYS Integrated Circuits Division
La description : 1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 15V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH : 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 2A, 2A
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 1200V
Temps de montée / descente (type) : 9.4ns, 9.7ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 28-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : IX2120BTR.pdf

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