DMG3414UQ-7 - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMG3414UQ-7
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMG3414UQ-7
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG3414UQ-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 829.9pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 780mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMG3414UQ-7
Feuilles de données : DMG3414UQ-7.pdf
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