SIDC14D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
171910 Pieces
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Spécifications pour SIDC14D120H8X1SA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIDC14D120H8X1SA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
25A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.97V @ 25A
La vitesse :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
20µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
Die
Package d'appareils du fournisseur :
Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction :
-40°C ~ 175°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIDC14D120H8X1SA1
Feuilles de données :
SIDC14D120H8X1SA1.pdf
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