RF4E080BNTR - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RF4E080BNTR
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1982055 Pieces
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Spécifications pour RF4E080BNTR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RF4E080BNTR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : HUML2020L8
Paquet / caisse : 8-PowerUDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RF4E080BNTR
Feuilles de données : RF4E080BNTR.pdf
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