SI7738DP-T1-E3 - MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
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MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI7738DP-T1-E3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI7738DP-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 75V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI7738DP-T1-E3
Feuilles de données : SI7738DP-T1-E3.pdf
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