IPD80R4K5P7ATMA1 - MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Référence fabricant

IPD80R4K5P7ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD80R4K5P7ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD80R4K5P7ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD80R4K5P7ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 500V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 13W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD80 , IPD80R4K

Documents pour IPD80R4K5P7ATMA1

Feuilles de données : IPD80R4K5P7ATMA1.pdf

Produits associés pour IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.